Tangor 300

  • 하나의 시스템에서 높은 전력, 높은 에너지
  • 산업 디자인, 높은 포인팅 안정성
  • FemtoTrig® & GHz 기능

강력하고 활기차고 다재다능하며 모든 기능을 갖춘 Tangor 300은 모든 산업 및 과학적 요구에 맞게 제작되었습니다.

Tangor 300으로 생산 공정을 가속화하고 연구를 발전시키십시오.

Tangor 300은 높은 반복 속도, 주문형 펄스, 고에너지, 높은 포인팅 안정성 및 높은 빔 품질을 결합한 강력한 펨토초 레이저입니다. 고유한 기능을 갖춘 Tangor 300은 대면적 가공, 고속 가공 등과 같은 새로운 산업 응용 분야와 고장 THz 생성, 고자속 고조파 생성, OPCPA 펌핑 및 광 방출 분광법과 같은 최첨단 과학 응용 분야 모두에 사용할 수 있습니다.

 

사용 가능한 옵션

 

FemtoTrig

    • 내부 펄스 피커를 사용한 펄스 간 제어(고정밀)
    • 두 펄스 간 주파수 조정 가능
    • 기본 지터: 전자 지연 감소 및 타이밍 지터 감소

GHz

    • 다단계 상호 작용 프로세스: 열 인큐베이션 및 동적 효율성
    • 최적의 버스트 지속 시간: 산업 애플리케이션의 효율성 향상

FemtoBurst

    • 최적의 에너지 분배를 위한 정밀 성형.
    • 정밀 제어를 위한 아날로그 RF 드라이버 및 함수 발생기.

Burst Mode

    • 단일 버스트 모드는 정밀 작업에 적합한 단일 고에너지 펄스를 생성합니다.
    • 버스트 모드는 균일한 재료 처리 및 이미징을 위해 여러 펄스를 증폭합니다.
    • 슈퍼 버스트 모드는 특수한 고에너지 요구 사항을 위해 초기 펄스에 에너지를 집중시킵니다.

SHG 

    • 비선형 광학을 통해 레이저 주파수 두 배 증가
    • 펨토초 레이저의 이미징 정밀도 및 재료 처리 향상

3D 보기Tangor 300

사양Tangor 300 IRTangor 300 GREENTangor 300 UV
중심 파장 1030515nm(예비 사양)343nm(예비 사양)
평균 전력> 300 W> 200 W> 100 W
에너지 펄스 > 3 mJ> 1.5 mJ> 200μJ 초과 - 요청 시 더 높은 반복 속도 제공 가능
펄스 폭 < 500fs ~ > 10ps< 500 fs< 500 fs
반복률 싱글 샷에서 40MHz까지2MHz까지 싱글 샷(요청 시 더 높은 에너지 사용 가능)2MHz까지 싱글 샷(요청 시 더 높은 에너지 사용 가능)
빔 품질M² 1.3M² 1.3M² 1.3
빔 원형87%87%87%
빔 포인팅 안정성100시간 이상 15µrad100시간 이상 15µrad100시간 이상 15µrad
전력 안정성< 100시간 이상 1% 미만 RMS< 100시간 이상 2% 미만 RMS< 100시간 이상 2% 미만 RMS
워밍업 시간< 30분 미만<1시간<1시간

다른 제품과 비교

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제품
파장
스펙트럼 대역폭
에너지
평균 전력
펄스 폭
반복률
Tangor 300 IR
1030 nm +/- 5nm
< 3 nm
> 3 mJ
> 300 W
< 500fs ~ 10ps
40MHz로 싱글 샷
Tangor 300 Green
515 nm +/- 2,5 nm
< 3 nm
> 1,5 mJ
> 200 W
< 500 fs
40MHz로 싱글 샷
Tangor 300 UV
343 nm +/- 1,7 nm
< 3 nm
> 200 µJ
> 100 W
< 500 fs
40MHz로 싱글 샷
Tangor 100 IR
1030 nm +/- 5nm
< 3 nm
> 500 µJ / Up to 700 µJ
100 W
< 500fs ~ 10ps
40MHz로 싱글 샷
Tangor 100 Green
515 nm +/- 2,5 nm
< 1 nm
> 250 µJ
50 W
< 500fs ~ 5ps
40MHz로 싱글 샷
Tangor 100 UV
343 nm +/- 1,7 nm
< 0,5 nm
> 150 µJ
30 W
< 500fs ~ 2ps
40MHz로 싱글 샷
Satsuma X-28
1030 nm +/- 5nm
< 3 nm
280 µJ
28 W
< 400 fs
40MHz로 싱글 샷
Satsuma X-50
1030 nm +/- 5nm
< 3 nm
500 µJ
50 W
< 400 fs
40MHz로 싱글 샷

일반 정보

안정성

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