새로운 제품
Satsuma X
강력하고 다재다능한 초고속 레이저
Satsuma X는 산업 및 과학 분야의 모든 요구 사항을 충족하는 강력한 올인원 펨토초 레이저입니다. 다양한 고유 기능을 갖춘 Satsuma X는 배터리 패터닝, 노즐 드릴링, 고품질 텍스처링, 웨이퍼 다이싱, OLED 절단 등과 같은 모든 재료 가공 목표에 적합합니다. 또한 Satsuma X는 생명 과학, 세포 이미징, 가속기, X-선 이미징과 같은 다양한 응용 분야의 연구 실험실에도 만족스러운 결과를 제공합니다, 신경과학 및 광유전학 등.
Satsuma X는 고에너지(500μJ), 높은 반복 속도(최대 40MHz까지 조정 가능), 높은 빔 품질을 결합한 견고한 50W 펨토초 플레이트폼입니다. 연중무휴 24시간 운영되는 산업용 작업과 같이 가장 까다로운 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
사용 가능한 옵션
FemtoTrig
FemtoTrig-
- 내부 펄스 피커를 사용한 펄스 간 제어(고정밀)
- 두 펄스 간 주파수 조정 가능
- 기본 지터: 전자 지연 감소 및 타이밍 지터 감소
GHz
-
- 다단계 상호 작용 프로세스: 열 인큐베이션 및 동적 효율성
- 최적의 버스트 지속 시간: 산업 애플리케이션의 효율성 향상
FemtoBurst
-
- 최적의 에너지 분배를 위한 정밀 성형.
- 정밀 제어를 위한 아날로그 RF 드라이버 및 함수 발생기.
Burst Mode
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- 단일 버스트 모드는 정밀 작업에 적합한 단일 고에너지 펄스를 생성합니다.
- 버스트 모드는 균일한 재료 처리 및 이미징을 위해 여러 펄스를 증폭합니다.
- 슈퍼 버스트 모드는 특수한 고에너지 요구 사항을 위해 초기 펄스에 에너지를 집중시킵니다.
SHG
-
- 비선형 광학을 통해 레이저 주파수 두 배 증가
- 펨토초 레이저의 이미징 정밀도 및 재료 처리 향상
THG
-
- 고급 애플리케이션을 위한 세 배의 레이저 주파수.
- 펨토초 레이저로 이미징 및 재료 가공 정밀도를 혁신적으로 개선합니다.
| 사양 | Satsuma X - 28 | Satsuma X - 50 |
|---|---|---|
| 파워 | 28 W | 50 W |
| 에너지 | 280 µJ | 500 µJ |
| 최소 펄스 지속 시간 | 400 fs ~ 10 ps* | 400 fs ~ 10 ps* |
| 반복 횟수 | 최대 40MHz까지 튜닝 가능 | 최대 40MHz까지 튜닝 가능 |
| 타원 | > 95% | > 95% |
| 파장 | 1030 nm +/- 2 nm | 1030 nm +/- 2 nm |
| M2 | < 1.2 | < 1.2 |
| 포인팅 안정성 | < 20 µrad /°C | < 20 µrad /°C |
| 레이저 헤드 | 730 x 310 x 230 mm | 730 x 310 x 230 mm |
| <모든 반복 속도에서 500fs 이하 |
다른 제품과 비교
최대 3개의 제품을 동시에 비교할 수 있습니다.
제품
파장
스펙트럼 대역폭
에너지
평균 전력
펄스 폭
반복률
Satsuma X-28
1030 nm +/- 2nm
< 3 nm
> 280 µJ
> 28 W
400 fs ~ 10 ps*
40MHz로 싱글 샷
Satsuma X-50
1030 nm +/- 2nm
< 3 nm
> 500 µJ
> 50 W
400 fs ~ 10 ps*
40MHz로 싱글 샷
Tangor 100 IR
1030 nm +/- 5nm
< 3 nm
> 500 µJ
> 100 W
< 500 fs ~ 10 ps
40MHz로 싱글 샷
Tangor 100 Green
515 nm +/- 2,5 nm
< 1 nm
> 250 µJ
> 50 W
< 500 fs ~ 5 ps
40MHz로 싱글 샷
Tangor 100 UV
343 nm +/- 1,7 nm
< 0,5 nm
> 150 µJ
> 30 W
< 500 fs ~ 2 ps
40MHz로 싱글 샷
Satsuma
1030 nm +/- 5nm
< 10 nm
> 10 µJ
> 5 W
< 350 fs
40MHz로 싱글 샷
Satsuma HP
1030 nm +/- 5nm
< 10 nm
> 20 µJ
> 10 W
< 350 fs
40MHz로 싱글 샷
Satsuma HP2
1030 nm +/- 5nm
< 10 nm
> 40 µJ
> 20 W
< 350 fs
40MHz로 싱글 샷
