L’industrie des semiconducteurs joue un rôle moteur dans l’évolution de technologies aux capacités de plus en plus puissantes. La technologie laser est devenue un outil essentiel pour changer la façon dont les semiconducteurs sont fabriqués, depuis le découpage des tranches jusqu’à l’emballage du dispositif ; de nombreuses technologies laser sont désormais l’outil standard pour réaliser la lithographie, l’inspection, la métrologie de l’épaisseur, le découpage des tranches, le perçage à haute densité et la fabrication de cartes à sondes.
Au cours de la dernière décennie, les lasers ultrarapides ont été utilisés pour un nombre croissant d’applications et sont devenus essentiels pour réaliser une variété de processus de haute précision sur des structures très fines. La technologie ultrarapide a accéléré les processus de fabrication, amélioré les performances et ouvert des perspectives sans précédent pour la miniaturisation des appareils.
La technologie laser ultrarapide joue un rôle majeur dans les applications:
Transformation en Wafer
En utilisant le phénomène d’absorption multiphotonique, le laser ultrarapide peut effectuer des modifications matérielles à l’intérieur du matériau en vrac. Cela permet de créer des fissures précises dans le Si, le SiC et d’autres substrats qui ouvrent la voie à une séparation contrôlée et propre.
Découpage des Plaquettes
En tirant parti du comportement non thermique du processus d’ablation à l’aide de lasers ultrarapides, les fabricants de puces peuvent marquer de manière sélective les matériaux à faible coefficient de dureté et découper les plaquettes en limitant la zone affectée par la chaleur et la délamination.
Perçage de Carte à Sonde
Grâce à leur puissance de crête élevée, les lasers ultrarapides sont considérés comme le couteau suisse du traitement des matériaux, permettant le perçage de polymères souples, de céramiques dures et de métaux. Les lasers sont utilisés avec des scanners à 5 axes pour percer à grande vitesse des trous coniques à 0° de formes complexes dans des substrats rigides de cartes à sonde.
Through Glass Via
Utilisés en combinaison avec des produits chimiques, les lasers ultrarapides sont les outils idéaux pour percer ou graver des trous dans le verre, avec une précision de l’ordre du micromètre de diamètre, avec une conicité contrôlée sur toute l’épaisseur du substrat.
L’introduction du GHz a également ouvert la possibilité de percer directement le substrat sans recourir à la gravure chimique, ce qui modifie complètement le processus de fabrication.
Génération EUV
Les dispositifs de post-compression, tels que notre Compress, créent des impulsions de quelques femtosecondes seulement. Une telle puissance de crête peut être utilisée pour la génération d’harmoniques élevées, ce qui permet de générer des faisceaux de longueur d’onde de quelques nm / XUV.
La lumière EUV est une source lumineuse puissante pour la métrologie des rayons X doux, dévoilant des motifs à l’échelle du nanomètre.
Métrologie des Couches Minces
La technique acoustique picoseconde est largement utilisée pour la métrologie de l’épaisseur des couches minces au cours du processus de fabrication des puces. Elle utilise des impulsions courtes pour pomper et sonder des piles de couches minces de manière non destructive, ce qui permet d’obtenir des couches transparentes ou opaques/métalliques.
